martes, 9 de febrero de 2010

MEMORIA FLASH

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Es una forma desarrollada de la memoria EEMPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez.

Existen 2 tipos de memoria flash que son:

NOR

Cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan) el campo electrico que generaría CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan)

NAD

Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’.


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