Existen 2 tipos de memoria flash que son:
NOR
Cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan) el campo electrico que generaría CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan)
NAD
Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’.
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